前半は、?@炭素高分子と異なった光学特性を有するボリシラン系高分子材料のイオンビーム照射による主鎖切断、分解反応などの構造変化に及ぼす照射効果、照射温度の影響、電子物性への影響、高分子材料中の構造欠陥と光伝導度との関係などについて討論された。?Aイオン注入の半導体への応用では、種々のデバイス製造に係わるリン、ひ素、ボロンなどのイオン注入技術、微細化が進むULSI製造に係わる静電破壊やその防止法などの技術的課題、?Bイオンビームの照射効果を利用した半導体素子の特性制御では、少数キャリヤーのライフタイムの放射線照射による制御方法、ガンマ線、電子線、プロトン照射による違い等について、報告と討論が行われた。?C半導体デバイスの作成に係わる微細加工技術については、触媒を用いた化学増幅型レジストとしての高分子膜へのレーザー、X線(放射光)及び電子線の利用技術について、現状と今後の展望が討論された。